IGBT 641-F3L75R12W1H3_B27

Nhà sản xuất: Infineon

Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT

RoHS:

Sản phẩm: IGBT Silicon Modules

Cấu hình: 3-Phase Inverter

Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa: 1.2 kV

Điện áp bão hòa cực góp-cực phát: 1.45 V

Dòng cực góp liên tục ở 25°C: 45 A

Dòng rò cực cổng-cực phát: 100 nA

Pd - Tiêu tán nguồn: 275 W

Đóng gói / Vỏ bọc: EasyPack1B

Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C

Nhiệt độ làm việc tối đa: + 150 C

Đóng gói: Tray

Nhãn hiệu: Infineon Technologies

Điện áp cực cổng cực phát tối đa: 20 V

Loại sản phẩm: IGBT Modules

Sê-ri: High Speed IGBT H3

24

Danh mục phụ: IGBTs

Công nghệ: Si

Thương hiệu: EasyPACK

Mã Bí danh: SP001056132 F3L75R12W1H3B27BOMA1

Đơn vị Khối lượng: 24 g